전체 글5 U+ 이벤트 ^^ https://m.lguplus.com/benefit-event/ongoing/80569 2022. 10. 10. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 1. Four Terminal Device - Source : Ground - Gate Voltage : Vg - Drain : Vds - Substrate Bias : -Vbs 2. MOSFET구조 (Vg=0) 2022. 8. 21. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Capacitor 1. MOS Capacitor를 공부하는 이유 ① Field Effect의 Physics를 포함함 ② Si 특성이 사용됨 ③ Si-SiO2의 특성 및 Oxide Charging이 사용됨 ③ uP, DRAM, FLASH, CCD등에서 중요한 구성요소임 2. MOS Capcitor 구조 MOS 구조라 함은 금속(Metal), 산화물로 이루어진 부도체(Oxide), active layer로 사용할 반도체(semiconductor)의 적층 구조로 이루어져 있습니다. 3. MOS Band Diagram 실제 소자에서는 metal과 semiconductor의 Fermi energy에 차이가 있다면 이것이 oxide와의 표면에 전하가 쌓이면서 band bending이라는 것이 일어납니다. 에너지 밴드의 가로축은 실제.. 2022. 8. 21. MS(Metal Semiconductor) Contact 1. Energies and energy difference Vacuum Level : E0 Work Function (Φ) : Vacuum Level과 Fermi Level 사이의 에너지 Metal Work Function (Φm) : METAL마다 고유의 근본적인 특성을 가짐. - ex) Mg 3.66eV, Ni 5.15eV Electron Affinity (X) : 특별한 Semiconductor의 고유의 근본적인 특성임 - ex) Ge 4.0eV, Si 4.03eV, GaAs 4.07eV - X= (E0-Ec)Suface 2. Schottky Contact - Φm>Φs : Metal and the n-type Semiconductor n-type 반도체의 페르미 레벨이 금속의 페르미 레벨보다 높.. 2022. 8. 21. 이전 1 2 다음
